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参数资料
| 型号： | CM1400-03CP |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ARRAY EMI FLTR ESD PRT 6CH 15CSP |
| 产品变化通告： | CMD Product Obsolescence 16/Mar/2011 |
| 标准包装： | 3,500 |
| 类型： | 低通 |
| 技术： | RC（Pi） |
| 通道数： | 6 |
| 中心 / 截止频率： | 58MHz（截止值） |
| 衰减值： | 35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz |
| 电阻 - 通道 (Ohms)： | 100 |
| 值： | R = 100 欧姆，C = 30pF |
| ESD 保护： | 是 |
| 滤波器阶数： | 2nd |
| 应用： | 移动设备的数据线路 |
| 封装/外壳： | 15-WFBGA，WLCSP |
| 尺寸/尺寸： | 0.117" L x 0.052" W（2.96mm x 1.33mm） |
| 高度： | 0.028"（0.71mm） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
CM1400 ? 03
PERFORMANCE INFORMATION (Cont’d)
Typical Filter Performance (T A = 25 5 C, DC Bias = 0 V, 50 W Environment)
Figure 3. Insertion Loss vs. Frequency (A3 ? C3 to GND B2)
Figure 4. Insertion Loss vs. Frequency (A4 ? C4 to GND B2)
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM1401-32CP | ARRAY 4CH EMI FLTR+4CH ESD 15CSP |
| CM1402-03CP | IC EMI FILTER ARRAY SIM 10WLCSP |
| CM1405-03CP | ARRAY ESD/EMI FLTR 8CH 20CSP |
| CM1406-08DE | ARRAY ESD/EMI FLTR 8CH 16DFN |
| CM1407-04DE | ARRAY ESD/EMI FLTR 4CH 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM1400-03CP-HST | 功能描述:电磁干扰滤波器 6-Ch EMI Filter with ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 电容:12 pF 电路类型: 最大直流电流: 最大直流电阻: 电压额定值:6 V 容差: 端接类型:SMD/SMT 工作温度范围:- 30 C to + 85 C 系列:EMIF03 |
| CM1400-03CS | 制造商:California Micro Devices 功能描述:6 FUNCTIONS, DATA LINE FILTER |
| CM1400-32CP | 功能描述:电磁干扰滤波器 6-Ch EMI Filter with ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 电容:12 pF 电路类型: 最大直流电流: 最大直流电阻: 电压额定值:6 V 容差: 端接类型:SMD/SMT 工作温度范围:- 30 C to + 85 C 系列:EMIF03 |
| CM1400DU-24NF | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 1400A MEGA RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM1400DUC-24NF | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE 1400A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 1.4KA, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:1.4kA, Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV, Operating Temperature Min:-40C, Operating Temperature Max:150C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NF-SERIES DUAL |
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