参数资料
型号: CM150DU-24F
厂商: Powerex Inc
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 1200V 150A F SER
标准包装: 2
系列: IGBTMOD™
IGBT 类型: 沟道
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 150A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 59nF @ 10V
功率 - 最大: 600W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM150DU-24F
Trench Gate Design Dual IGBTMOD?
150 Amperes/1200 Volts
COLLECTOR-EMITTER
COLLECTOR-EMITTER
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
300
250
T j = 25 o C
11
15
V GE = 20V
10 9.5
9
3
V GE = 15V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
5
4
T j = 25 ° C
200
2
3
150
I C = 300A
100
8. 5
1
2
I C = 150A
I C = 60A
50
8
1
0
0
1
2
3
4
0
0
50
100
150
200
250
300
0
0
6
8
10
12
14
16
18 20
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
CAPACITANCE VS. V CE
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10 3
T j = 25 ° C
10 2
C ies
10 3
t f
t d(off)
10 2
10 1
10 2
t d(on)
t r
10 0
V GE = 0V
C oes
C res
10 1
V CC = 600V
V GE = ± 15V
R G = 2.1 ?
T j = 125 ° C
Inductive Load
10 1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 0
10 1
10 2
10 3
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
10 3
(TYPICAL)
10 3
20
GATE CHARGE, V GE
10 1
10 -3
10 -2
(IGBT & FWDi)
10 -1
10 0
10 1
V CC = 600V
V GE = ± 15V
R G = 2.1 ?
T j = 25 ° C
Inductive Load
16
I C = 150A
V CC = 400V
10 0
Per Unit Base
R th(j-c) = 0.21 ° C/W (IGBT)
R th(j-c) = 0.24 ° C/W (FWDi)
Single Pulse
T C = 25 ° C
I rr
12
V CC = 600V
10 2
t rr
10 2
10 -1
10 -1
8
4
10 -2
10 -2
10 1
10 1
10 2
10 1
10 3
0
0
500
1000
1500
2000
2500
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -3
4
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
TIME, (s)
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