参数资料
型号: CM150DUS-12F
厂商: Powerex Inc
文件页数: 1/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 600V 150A F SER
标准包装: 2
系列: IGBTMOD™
IGBT 类型: 沟道
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.7V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 150A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 41nF @ 10V
功率 - 最大: 520W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
CM150DUS-12F
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
TRENCH GATE DESIGN
DUAL IGBTMOD?
150 AMPERES/600 VOLTS
P - NUTS X Z DEEP (3 PLACES)
TC MEASURED
POINT
A
N
D
Y
Q (2 PLACES)
B
W
C2E1
E2
C1
X
F
F
E
G
DESCRIPTION:
POWEREX IGBTMOD? MODULES
ARE DESIGNED FOR USE IN HIGH
M
T
K
U
V
K
T
U
J
#110 TAB X H THICK
(4 PLACES)
R
FREQUENCY APPLICATIONS; 30 KHZ
FOR HARD SWITCHING APPLICATIONS
AND 60 TO 70 KHZ FOR SOFT SWITCHING
APPLICATIONS. EACH MODULE
C
RTC
S
L
G2
E2
CONSISTS OF TWO IGBT TRANSISTORS
IN A HALF-BRIDGE CON?GURATION WITH
EACH TRANSISTOR HAVING A REVERSE-
CONNECTED SUPER-FAST RECOVERY
FREE-WHEEL DIODE. ALL COMPONENTS
AND INTERCONNECTS ARE ISOLATED
FROM THE HEAT SINKING BASEPLATE,
OFFERING SIMPLI?ED SYSTEM ASSEM-
C2E1
E2
RTC
C1
E1
G1
BLY AND THERMAL MANAGEMENT.
FEATURES:
£ LOW V CE(SAT)
£ LOW E SW(OFF)
£ DISCRETE SUPER-FAST RECOVERY
FREE-WHEEL DIODE
OUTLINE DRAWING AND CIRCUIT DIAGRAM
£ ISOLATED BASEPLATE FOR EASY
HEAT SINKING
Dimensions
Inches
Millimeters
Dimensions
Inches
Millimeters
APPLICATIONS:
A
B
C
3.70 94.0
1.89 48.0
1.18 +0.04/-0.02 30.0 +1.0/-0.5
N
P
Q
0.28
M5
0.26 DIA.
7.0
M5
6.5 DIA.
£ POWER SUPPLIES
£ INDUCTION HEATING
£ WELDERS
D
E
F
G
H
3.15±0.01
0.43
0.16
0.71
0.02
80.0±0.25
11.0
4.0
18.0
0.5
R
S
T
U
V
0.02
0.30
0.63
0.10
1.0
4.0
7.5
16.0
2.5
25.0
ORDERING INFORMATION:
EXAMPLE: SELECT THE COMPLETE
MODULE NUMBER YOU DESIRE FROM
THE TABLE - I.E. CM150DUS-12F IS
A 600V (V CES ), 150 AMPERE DUAL
IGBTMOD? POWER MODULE.
J
K
L
0.53
0.91
0.83
13.5
23.0
21.2
W
X
Y
0.94
0.51
0.47
24.0
13.0
12.0
Type
CM
Current Rating
Amperes
150
V CES
Volts (x 50)
12
M
0.67
17.0
Z
0.47
12.0
1
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