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参数资料
| 型号： | CM150DUS-12F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 600V 150A F SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 41nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM150DUS-12F
TRENCH GATE DESIGN DUAL IGBTMOD?
150 AMPERES/600 VOLTS
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
Symbol
R TH(J-C) Q
Test Conditions
PER IGBT 1/2 MODULE, T C REFERENCE
Min.
–
Typ.
Max.
0.24
Units
°C/W
POINT PER OUTLINE DRAWING
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
R TH(J-C) D
PER FWDI 1/2 MODULE, T C REFERENCE
–
–
0.47
°C/W
POINT PER OUTLINE DRAWING
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
R TH(J-C') Q
PER IGBT 1/2 MODULE,
–
–
0.19**
°C/W
T C REFERENCE POINT UNDER CHIP
CONTACT THERMAL RESISTANCE
EXTERNAL GATE RESISTANCE
R TH(C-F)
R G
PER MODULE, THERMAL GREASE APPLIED
–
4.2
0.07
–
–
42
°C/W
Ω
** IF YOU USE THIS VALUE, RTH(F-A) SHOULD BE MEASURED JUST UNDER THE CHIPS.
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SWITCHING LOSS VS. COLLECTOR CURRENT
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
300
250
200
150
100
T J = 25 O C
V GE = 20V
13 11
15
7.5
10
9. 5
8.5
9
8
10 1
10 0
V CC = 300V
V GE = ± 15V
R G = 4.2 ?
T J = 125 ° C
HALF-BRIDGE
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V GE = 15V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50
0
0
1
2
7
3
4
10 -1
10 1
10 2
SWITCHING
E SW(ON)
E SW(OFF)
10 3
0.5
0
0
50
100
150
200
250
300
CAPACITANCE VS. V CE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
5
4
T J = 25 ° C
10 3
T J = 25 ° C
10 2
C IES
10 2
10 1
3
I C = 300A
2
1
I C = 150A
I C = 60A
10 1
10 0
C OES
C RES
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10 0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V GE = 0V
F = 1MHZ
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
3
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