参数资料
型号: CM150DU-34KA
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 1700V 150A KA SER
标准包装: 1
系列: IGBTMOD™
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 4V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 150A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 21nF @ 10V
功率 - 最大: 1100W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM150DU-34KA
Dual IGBTMOD? KA-Series Module
150 Amperes/1700 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
Contact Thermal Resistance
Thermal Resistance
Symbol
R th(j-c) Q
R th(j-c) D
R th(c-f)
R th(j-c') Q
Test Conditions
Per IGBT 1/2 Module
Per FWDi 1/2 Module
Per Module, Thermal Grease Applied
T c Measured Point
Min.
Typ.
0.040
Max.
0.11
0.18
0.07*
Units
° C/W
° C/W
° C/W
° C/W
(Under Chips - IGBT Part)
* If you use this value, R th(f-a) should be measured just under the chips.
COLLECTOR-EMITTER
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
300
250
T j = 25 o C  15
V GE = 20V
14
12
11
300
250
V CE = 10V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
6
5
V GE = 15V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
200
150
10
200
150
4
3
9
100
100
2
50
0
8
50
0
1
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
250
300
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
CAPACITANCE VS. V CE
(TYPICAL)
10
T j = 25 ° C
10 3
T j = 25 ° C
10 2
V GE = 0V
f = 1MHz
8
10 2
10 1
C ies
6
I C = 300A
4
2
I C = 150A
I C = 60 A
10 1
10 0
C oes
C res
0
0
4
8
12
16
20
10 0
1
2
3
4
5
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
3
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