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参数资料
型号： CM150RL-24NF
厂商： Powerex Inc
文件页数： 3/6页
文件大小： 0K
描述： IGBT MOD 7PAC 1200V 150A NF SER
标准包装： 1
系列： IGBTMOD™
配置： 三相反相器，带制动器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 3V @ 15V，150A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 150A
电流 - 集电极截止（最大）： 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 23nF @ 10V
功率 - 最大： 890W
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 模块
供应商设备封装： 模块
配用： BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT
BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT
BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM150RL-24NF
SIX IGBTMOD? + BRAKE NF-SERIES MODULE
150 AMPERES/1200 VOLTS
ELECTRICAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
INVERTER SECTOR
Characteristics
COLLECTOR CUTOFF CURRENT
GATE-EMITTER THRESHOLD VOLTAGE
GATE LEAKAGE CURRENT
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
INPUT CAPACITANCE
OUTPUT CAPACITANCE
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
TOTAL GATE CHARGE
Symbol
I CES
V GE(TH)
I GES
V CE(SAT)
C IES
C OES
C RES
Q G
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
I C = 15MA, V CE = 10V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 150A, V GE = 15V, T J = 25°C
I C = 150A, V GE = 15V, T J = 125°C
V CE = 10V, V GE = 0V
V CC = 600V, I C = 150A, V GE = 15V
Min.
—
6
—
—
—
—
—
—
—
Typ.
—
7
—
2.1
2.4
—
—
—
675
Max.
1.0
8
0.5
3.0
—
23.0
2.0
0.45
—
Units
MA
VOLTS
μA
VOLTS
VOLTS
NF
NF
NF
NC
INDUCTIVE
TURN-ON DELAY TIME
T D(ON)
—
—
130
NS
LOAD
SWITCH
TIME
TURN-ON RISE TIME
TURN-OFF DELAY TIME
TURN-OFF FALL TIME
T R
T D(OFF)
T F
V CC = 600V, I C = 150A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 2.1 Ω , I E = 150A,
—
—
—
—
—
—
70
400
350
NS
NS
NS
REVERSE RECOVERY TIME*
REVERSE RECOVERY CHARGE*
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE*
T RR
QRR
V EC
INDUCTIVE LOAD SWITCHING OPERATION
I E = 150A, V GE = 0V
—
—
—
—
5.8
—
150
—
3.8
NS
μC
VOLTS
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE**
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE**
CONTACT THERMAL RESISTANCE
EXTERNAL GATE RESISTANCE
Symbol
R TH(J-C) Q
R TH(J-C) D
R TH(C-F)
R G
Test Conditions
PER IGBT 1/6 MODULE
PER FWDI 1/6 MODULE
PER 1/6 MODULE, THERMAL GREASE APPLIED
Min.
—
—
—
2.1
Typ.
—
—
0.051
—
Max.
0.14
0.2 3
—
31
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Ω
*REPRESENTS CHARACTERISTICS OF THE ANTI-PARALLEL, EMITTER-TO-COLLECTOR FREE-WHEEL DIODE (FWDI).
**T C , T F MEASURED POINT IS JUST UNDER THE CHIPS.
3
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PDF描述
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