参数资料
型号: CM300DU-24NFH
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 1200V 300A NFH SER
标准包装: 1
系列: IGBTMOD™
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 6.5V @ 15V,300A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 300A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 47nF @ 10V
功率 - 最大: 1130W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
配用: BG2C-5015-ND - KIT DEV BOARD 5A FOR IGBT
BG2C-3015-ND - KIT DEV BOARD 3A FOR IGBT
BG2A-NFH-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称: 835-1087
CM300DU-24NFH-ND
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
CM300DU-24NFH
Dual IGBTMOD? NFH-Series Module
300 Amperes/1200 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj = 25 °C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
Rth(j-c)Q
Test Conditions
Per IGBT 1/2 Module, TC Reference
Min.
Typ.
Max.
0.11
Units
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)D
Per FWDi 1/2 Module, TC Reference
0.18
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'Q
Per IGBT 1/2 Module,
0.066
°C/W
TC Reference Point Under Chips
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'D
Per FWDi 1/2 Module,
0.1
°C/W
TC Reference Point Under Chips
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Rth(c-f)
RG
Per 1/2 Module, Thermal Grease Applied
1.0
0.04
10
°C/W
Ω
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
600
500
T j = 25°C
V GE = 20V
15
14
13
600
500
V GE = 10V
T j = 25°C
T j = 125°C
9
8
7
V GE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
400
300
200
12
11
10
400
300
200
6
5
4
3
100
0
0
2
4
6
8
9
8
10
100
0
0
5
10
15
20
2
1
0
0
100
200
300
400
500
600
CAPACITANCE VS. VCE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
10
8
6
T j = 25°C
I C = 600A
I C = 300A
10 3
10 2
T j = 25°C
T j = 125°C
10 2
10 1
C ies
C oes
4
2
I C = 120A
10 0
C res
V GE = 0V
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10 1
0
1
2
3
4
5
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
7/11 Rev. 1
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
3
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