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参数资料
| 型号： | CM400DU-12F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 600V 400A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，400A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 400A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 110nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
CM400DU-12F
Trench Gate Design Dual IGBTMOD?
400 Amperes/600 Volts
Absolute Maximum Ratings, Tj = 25°C unless otherwise specified
Ratings
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector-Emitter Voltage (G-E SHORT)
Gate-Emitter Voltage (C-E SHORT)
Collector Current (Tc = 25°C)
Peak Collector Current (Tj ≤ 150°C)
Emitter Current** (Tc = 25°C)
Peak Emitter Current**
Maximum Collector Dissipation (Tc = 25°C)
Mounting Torque, M6 Main Terminal
Mounting Torque, M6 Mounting
Weight
Isolation Voltage (Main Terminal to Baseplate, AC 1 min.)
Symbol
Tj
Tstg
VCES
VGES
IC
ICM
IE
IEM
Pc
–
–
–
Viso
CM400DU-12F
-40 to 150
-40 to 125
600
±20
400
800*
400
800*
960
40
40
400
2500
Units
°C
°C
Volts
Volts
Amperes
Amperes
Amperes
Amperes
Watts
in-lb
in-lb
Grams
Volts
Static Electrical Characteristics, Tj = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Collector-Cutoff Current
Gate Leakage Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Total Gate Charge
Emitter-Collector Voltage**
Symbol
ICES
IGES
VGE(th)
VCE(sat)
QG
VEC
Test Conditions
VCE = VCES, VGE = 0V
VGE = VGES, VCE = 0V
IC = 40mA, VCE = 10V
IC = 400A, VGE = 15V, Tj = 25°C
IC = 400A, VGE = 15V, Tj = 125°C
VCC = 300V, IC = 400A, VGE = 15V
IE = 400A, VGE = 0V
Min.
–
–
5
–
–
–
–
Typ.
–
–
6
1.6
1.6
2480
–
Max.
1
40
7
2.2
–
–
2.6
Units
mA
μ A
Volts
Volts
Volts
nC
Volts
* Pulse width and repetition rate should be such that the device junction temperature (Tj) does not exceed Tj(max) rating.
** Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
2
Rev. 12/09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM400DU-12H | IGBT MOD DUAL 600V 400A U SER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM400DU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM400DU-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 400A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM400DU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM400DU-12NFH | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 400A NFH SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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