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参数资料
| 型号： | CM400DU-12F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 600V 400A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，400A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 400A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 110nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
CM400DU-12F
Trench Gate Design Dual IGBTMOD?
400 Amperes/600 Volts
Dynamic Electrical Characteristics, Tj = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Symbol
Cies
Coes
Cres
Test Conditions
VCE = 10V, VGE = 0V
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
–
Max.
110
7.2
4
Units
nf
nf
nf
Inductive
Load
Switch
Times
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
td(on)
tr
td(off)
tf
VCC = 300V, IC = 400A,
VGE1 = VGE2 = 15V,
RG = 3.1Ω,
Inductive Load
–
–
–
–
–
–
–
–
400
200
700
250
ns
ns
ns
ns
Diode Reverse Recovery Time**
Diode Reverse Recovery Charge**
trr
Qrr
Switching Operation
IE = 400A
–
–
–
7.7
200
–
ns
μ C
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
Rth(j-c)Q
Test Conditions
Per IGBT 1/2 Module, Tc Reference
Min.
–
Typ.
Max.
0.13
Units
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)D
Per FWDi 1/2 Module, Tc Reference
–
–
0.18
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'Q
Per IGBT 1/2 Module,
–
0.06
°C/W
Tc Reference Point Under Chip
Contact Thermal Resistance
Rth(c-f)
Per Module, Thermal Grease Applied
–
0.020
–
°C/W
** Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
Rev. 12/09
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM400DU-12H | IGBT MOD DUAL 600V 400A U SER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM400DU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM400DU-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 400A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM400DU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM400DU-12NFH | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 400A NFH SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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