型号: | CM50BU-24H |
厂商: | POWEREX INC |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | Four IGBTMOD⑩ U-Series Module 50 Amperes/1200 Volts |
中文描述: | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | MODULE-12 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 74K |
代理商: | CM50BU-24H |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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CM50TF-28H | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
CM50TJ-24F | 128 x 64 pixel format, LED or EL Backlight available |
CM50TU-34KA | RN55D, +/-100 ppm, 47.0 kOhm, +/-1 % |
CM520813 | SCR/Diode POW-R-BLOK⑩ Modules 130 Amperes/800 Volts |
CM521213 | SCR/Diode POW-R-BLOK⑩ Modules 130 Amperes/1200-1600 Volts |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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CM50DU-24F | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 50A F SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
CM50DU-24H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 50A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
CM50DY12E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
CM50DY-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 50A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
CM50DY24E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |