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参数资料
| 型号： | CM50RL-24NF |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 7PAC 1200V 50A NF SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 8.5nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 390W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM50RL-24NF
Six IGBTMOD? + Brake NF-Series Module
50 Amperes/1200 Volts
Electrical and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Inverter Sector
Characteristics
Collector Cutoff Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Gate Leakage Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Symbol
I CES
V GE(th)
I GES
V CE(sat)
C ies
C oes
C res
Q G
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
I C = 5.0mA, V CE = 10V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 50A, V GE = 15V, T j = 25°C
I C = 50A, V GE = 15V, T j = 125°C
V CE = 10V, V GE = 0V
V CC = 600V, I C = 50A, V GE = 15V
Min.
—
6
—
—
—
—
—
—
—
Typ.
—
7
—
2.1
2.4
—
—
—
250
Max.
1.0
8
0.5
3.0
—
8.5
0.75
0.17
—
Units
mA
Volts
μA
Volts
Volts
nf
nf
nf
nC
Inductive
Turn-on Delay Time
t d(on)
—
—
100
ns
Load
Switch
Time
Turn-on Rise Time
Turn-off Delay Time
Turn-off Fall Time
t r
t d(off)
t f
V CC = 600V, I C = 50A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 6.3 Ω , I E = 50A,
—
—
—
—
—
—
50
300
350
ns
ns
ns
Reverse Recovery Time*
Reverse Recovery Charge*
Emitter-Collector Voltage*
t rr
Qrr
V EC
Inductive Load Switching Operation
I E = 50A, V GE = 0V
—
—
—
—
2.0
—
100
—
3.8
ns
μC
Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case**
Thermal Resistance, Junction to Case**
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Symbol
R th(j-c) Q
R th(j-c) D
R th(c-f)
R G
Test Conditions
Per IGBT 1/6 Module
Per FWDi 1/6 Module
Per 1/6 Module, Thermal Grease Applied
Min.
—
—
—
6.3
Typ.
—
—
—
—
Max.
0.32
0.43
0.085
96
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Ω
*Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
**T C , T f measured point is just under the chips.
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3
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