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参数资料
| 型号： | CM50TU-24F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 6PAC 1200V 50A F SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 20nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 320W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM50TU-24F
Trench Gate Design Six IGBTMOD ?
50 Amperes/1200 Volts
Dynamic Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Symbol
C ies
C oes
C res
Test Conditions
V CE = 10V, V GE = 0V
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
–
Max.
20
0.85
0.5
Units
nf
nf
nf
Inductive
Load
Switch
Times
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V CC = 600V, I C = 50A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 6.3 ,
Inductive Load
–
–
–
–
–
–
–
–
100
50
300
300
ns
ns
ns
ns
Diode Reverse Recovery Time**
Diode Reverse Recovery Charge**
t rr
Q rr
Switching Operation
I E = 50A,
–
–
–
2.1
150
–
ns
μ C
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R th(j-c) Q
Test Conditions
Per IGBT 1/6 Module, T c Reference
Min.
–
Typ.
Max.
0.39
Units
° C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
R th(j-c) D
Per FWDi 1/6 Module, T c Reference
–
–
0.70
° C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
R th(j-c) 'Q
Per IGBT 1/6 Module,
–
0.26
° C/W
T c Reference Point Under Chip
Contact Thermal Resistance
R th(c-f)
Per Module, Thermal Grease Applied
–
0.018
–
° C/W
** Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM50TU-24H | IGBT MOD 6PAC 1200V 50A U SER |
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| CM600DU-24F | IGBT MOD DUAL 1200V 600A F SER |
| CM600DU-24NFH | IGBT MOD DUAL 1200V 600A NFH SER |
| CM600DU-24NF | IGBT MOD DUAL 1200V 600A NF SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CM50TU-24H | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 50A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM50TU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM50TU-34KA | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1700V 50A KA SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM50TU-34KA_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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