- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录618 > CM600DU-5F (Powerex Inc)IGBT MOD DUAL 250V 600A F SER Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CM600DU-5F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 250V 600A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 250V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.7V @ 10V，600A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 600A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 170nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1100W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
CM600DU-5F
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Dual IGBTMOD?
F-Series Module
600 Amperes/250 Volts
A
TC Measured
Point
D
G2
T - (4 TYP.)
H
F
B E
C L
E2
J
R CM
C2E1
E2
C1
E1
G1
25
25
X H
S - NUTS
Q
Q
P
N
G
Description:
(3 TYP)
V - THICK x W - WIDE
Powerex IGBTMOD? Modules are
designed for use in switching
C
K
K
LABEL
K
M
F
TAB (4 PLACES)
applications. Each module consists
of two IGBT Transistors in a half-
bridge configuration with each
transistor having a reverse-
connected super-fast recovery
free-wheel diode. All components
and interconnects are isolated
C2E1
G2
E2
from the heat sinking baseplate,
offering simplified system
assembly and thermal
management.
E2
Outline Drawing and Circuit Diagram
C1
E1
G1
Features:
□ Low Drive Power
Low V CE(sat)
□ Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
□ Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Dimensions Inches Millimeters
A 4.33 110.0
B 3.15 80.0
C 1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
D 3.66 ± 0.01 93.0 ± 0.25
Dimensions
M
N
P
Q
Inches
0.33
0.10
0.85
0.98
Millimeters
8.5
2.5
21.6
25.0
Applications:
□ AC Motor Control
Motion/Servo Control
□ UPS
Welding Power Supplies
□ Laser Power Supplies
E
F
G
H
J
K
2.44 ± 0.01
0.83
0.16
0.24
0.59
0.55
62.0 ± 0.25
21.0
4.0
6.0
15.0
14.0
R
S
T
V
W
X
0.86
M6
0.26 Dia.
0.02
0.110
1.08
21.75
M6
6.5 Dia.
0.5
2.79
27.35
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM600DU-5F is a
250V (V CES ), 600 Ampere Dual
IGBTMOD? Power Module.
Current Rating
V CES
Type
CM
Amperes
600
Volts (x 50)
5
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM600DY-12NF | IGBT MOD DUAL 600V 600A NF SER |
| CM600DY-24A | IGBT MOD DUAL 1200V 600A A SER |
| CM600HA-12H | IGBT MOD SGL 600V 600A H SER |
| CM600HA-24A | IGBT MOD SGL 1200V 600A A SERIES |
| CM600HA-24H | IGBT MOD SGL 1200V 600A H SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM600DU-5F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM600DXL-24S | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE DUAL 600A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 600A, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:600A, Collector Emitter Voltage Vces:1.85V, Power Dissipation Pd:4.545kW, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Operating Temperature Min:-40C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NX-SERIES DUAL 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| CM600DXL-34SA | 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Dual IGBT NX-Series Module 600 Amperes/1700 Volts |
| CM600DY12NF | 制造商:Mitsubishi 功能描述:SHIPS IN 48 HOURS |
| CM600DY-12NF | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 600A NF SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。