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参数资料
| 型号： | CM600DY-12NF |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 600V 600A NF SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，600A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 600A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 90nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1130W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
| 其它名称： | 835-1023 |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM600DY-12NF
Dual IGBTMOD? NF-Series Module
600 Amperes/600 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25 °C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R th(j-c) Q
Test Conditions
Per IGBT 1/2 Module, T C Reference
Min.
—
Typ.
—
Max.
0.11
Units
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
R th(j-c) D
Per FWDi 1/2 Module, T C Reference
—
—
0.18
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
R th(j-c) ’Q
Per IGBT 1/2 Module,
—
—
0.046
°C/W
T C Reference Point Under Chips
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
R th(c-f)
R G
Per 1/2 Module, Thermal Grease Applied
—
1.0
0.02
—
—
10
°C/W
Ω
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
1200
900
V GE =
20V
13
15
T j = 25 o C
12
4
3
V GE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
10
8
T j = 25°C
I C = 1200A
600
300
11
10
2
1
6
4
2
I C = 600A
I C = 240A
8
9
0
0
2
4
6
8
10
0
0
300
600
900
1200
0
6
8
10
12
14
16
18
20
CAPACITANCE VS. VCE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10 4
10 3
T j = 25°C
T j = 125°C
10 3
10 2
C ies
10 3
10 2
t d(on)
t f
t d(off)
t r
10 2
10 1
0
1
2
3
4
5
10 1
V GE = 0V
10 0
10 -1
10 0
C oes
C res
10 1
10 2
10 1
10 0
10 1
10 2
V CC = 300V
V GE = ±15V
R G = 4.2 ?
T j = 125°C
Inductive Load
10 3
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
Rev. 09/09
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
3
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