参数资料
型号: CM75TF-24H
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD 6PAC 1200V 75A H SER
标准包装: 1
系列: IGBTMOD™
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 3.4V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 75A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 15nF @ 10V
功率 - 最大: 600W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM75TF-24H
Six-IGBT IGBTMOD? H-Series Module
75 Amperes/1200 Volts
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
150
120
V GE = 20V
15
12
150
120
V CE = 10V
T j = 25°C
T j = 125°C
5
4
V GE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
T j = 25 o C
11
90
90
3
60
30
7
10
9
8
60
30
2
1
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
0
0
30
60
90
120
150
10
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
T j = 25°C
10 3
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
T j = 25°C
10 2
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
CAPACITANCE VS. V CE
(TYPICAL)
8
I C = 150A
10 2
10 1
C ies
6
I C = 75A
4
2
I C = 30A
10 1
10 0
V GE = 0V
C oes
C res
f = 1MHz
0
0
4
8
12
16
20
10 0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
GATE CHARGE, V GE
10 3
10 3
10 2
20
I C = 75A
t f
t d(off)
16
12
V CC = 400V
V CC = 600V
10 2
t d(on)
10 2
t rr
I rr
10 1
8
t r
V CC = 600V
10 1
10 1
10 2
V GE = ±15V
R G = 4.2 ?
T j = 125°C
10 3
10 1
10 0
di/dt = -150A/ μ sec
T j = 25°C
10 1
10 0
10 2
4
0
0
150
300
450
600
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
341
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PDF描述
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参数描述
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CM75TL-24NF 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A NF SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM75TL-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE