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参数资料
型号： CM75TF-24H
厂商： Powerex Inc
文件页数： 4/4页
文件大小： 0K
描述： IGBT MOD 6PAC 1200V 75A H SER
标准包装： 1
系列： IGBTMOD™
配置： 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 3.4V @ 15V，75A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 75A
电流 - 集电极截止（最大）： 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 15nF @ 10V
功率 - 最大： 600W
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 模块
供应商设备封装： 模块
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM75TF-24H
Six-IGBT IGBTMOD? H-Series Module
75 Amperes/1200 Volts
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi)
10 1
10 1
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
Single Pulse
T C = 25 ° C
Per Unit Base = R th(j-c) = 0.21 ° C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
Single Pulse
T C = 25 ° C
Per Unit Base = R th(j-c) = 0.47 ° C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
342
TIME, (s)
TIME, (s)
相关PDF资料
PDF描述
CM75TF-28H IGBT MOD 6PAC 1400V 75A H SER
CM75TL-12NF IGBT MOD 6PAC 600V 75A NF SER
CM75TL-24NF IGBT MOD 6PAC 1200V 75A NF SER
CM75TU-12F IGBT MOD 6PAC 600V 75A F SER
CM75TU-12H IGBT MOD 6PAC 600V 75A U SER
相关代理商/技术参数
参数描述
CM75TF-28H 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 75A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM75TJ-24F 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts
CM75TL-12NF 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 75A NF SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM75TL-24NF 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A NF SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM75TL-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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