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参数资料
| 型号： | CM75TF-28H |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 6PAC 1400V 75A H SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1400V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4.2V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 15nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM75TF-28H
Six-IGBT IGBTMOD? H-Series Module
75 Amperes/1400 Volts
Absolute Maximum Ratings, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector-Emitter Voltage (G-E-SHORT)
Gate-Emitter Voltage (C-E-SHORT)
Collector Current
Peak Collector Current
Diode Forward Current
Diode Forward Pulse Current
Power Dissipation
Max. Mounting Torque M5 Terminal Screws
Max. Mounting Torque M5 Mounting Screws
Module Weight (Typical)
V Isolation
Symbol
T j
T stg
V CES
V GES
I C
I CM
I EC
I ECM
P d
–
–
–
V RMS
CM75TF-28H
–40 to 150
–40 to 125
1400
± 20
75
150*
75
150*
600
17
17
830
2500
Units
° C
° C
Volts
Volts
Amperes
Amperes
Amperes
Amperes
Watts
in-lb
in-lb
Grams
Volts
* Pulse width and repetition rate should be such that device junction temperature does not exceed the device rating.
Static Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Collector-Cutoff Current
Gate Leakage Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Total Gate Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
I CES
I GES
V GE(th)
V CE(sat)
Q G
V FM
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 7.5mA, V CE = 10V
I C = 75A, V GE = 15V
I C = 75A, V GE = 15V, T j = 150 ° C
V CC = 800V, I C = 75A, V GS = 15V
I E = 75A, V GS = 0V
Min.
–
–
5.0
–
–
–
–
Typ.
–
–
6.5
3.1
2.95
383
–
Max.
1.0
0.5
8.0
4.2**
–
–
3.8
Units
mA
μ A
Volts
Volts
Volts
nC
Volts
** Pulse width and repetition rate should be such that device junction temperature rise is negligible.
Dynamic Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Symbol
C ies
C oes
C res
Test Conditions
V GE = 0V, V CE = 10V, f = 1MHz
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
–
Max.
15
5.3
3
Units
nF
nF
nF
Resistive
Turn-on Delay Time
t d(on)
–
–
150
ns
Load
Switch
Times
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V CC = 800V, I C = 75A,
V GE1 = V GE2 = 15V, R G = 4.2 ?
–
–
–
–
–
–
350
250
500
ns
ns
ns
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
t rr
Q rr
I E = 75A, di E /dt = –150A/ μ s
I E = 75A, di E /dt = –150A/ μ s
–
–
–
0.75
300
–
ns
μ C
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
Contact Thermal Resistance
Symbol
R th(j-c)
R th(j-c)
R th(c-f)
Test Conditions
Per IGBT
Per FWDi
Per Module, Thermal Grease Applied
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
–
Max.
0.21
0.47
0.025
Units
° C/W
° C/W
° C/W
352
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