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参数资料
| 型号： | CM75TL-12NF |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 6PAC 600V 75A NF SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11.3nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 430W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM75TL-12NF
Six IGBTMOD? NF-Series Module
75 Amperes/600 Volts
Absolute Maximum Ratings, T j = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Power Device Junction Temperature
Storage Temperature
Collector-Emitter Voltage (G-E Short)
Gate-Emitter Voltage (C-E Short)
Collector Current (T C = 102°C)*
Peak Collector Current (Tj ≤ 150°C)
Emitter Current***
Peak Emitter Current***
Maximum Collector Dissipation (T C = 25°C, T j < 150°C)
Mounting Torque, M5 Mounting Screws
Mounting Torque, M5 Main Terminal Screws
Module Weight (Typical)
Isolation Voltage, AC 1 minute, 60Hz Sinusoidal
Symbol
T j
T stg
V CES
V GES
I C
I CM
I E
I EM
P C
—
—
—
V ISO
CM75TL-12NF
-40 to 150
-40 to 125
600
±20
75
150**
75
150**
430
31
31
350
2500
Units
°C
°C
Volts
Volts
Amperes
Amperes
Amperes
Amperes
Watts
in-lb
in-lb
Grams
Volts
Electrical and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Collector Cutoff Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Gate Leakage Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Symbol
I CES
V GE(th)
I GES
V CE(sat)
C ies
C oes
C res
Q G
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
I C = 7.5mA, V CE = 10V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 75A, V GE = 15V, T j = 25°C
I C = 75A, V GE = 15V, T j = 125°C
V CE = 10V, V GE = 0V
V CC = 300V, I C = 75A, V GE = 15V
Min.
—
6
—
—
—
—
—
—
—
Typ.
—
7
—
1.7
1.7
—
—
—
300
Max.
1.0
8
0.5
2.2
—
11.3
1.4
0.45
—
Units
mA
Volts
μA
Volts
Volts
nf
nf
nf
nC
Inductive
Turn-on Delay Time
t d(on)
—
—
120
ns
Load
Switch
Time
Turn-on Rise Time
Turn-off Delay Time
Turn-off Fall Time
t r
t d(off)
t f
V CC = 300V, I C = 75A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 8.3 Ω , I E = 75A,
—
—
—
—
—
—
100
300
300
ns
ns
ns
Reverse Recovery Time***
Reverse Recovery Charge***
Emitter-Collector Voltage***
t rr
Qrr
V EC
Inductive Load Switching Operation
I E = 75A, V GE = 0V
—
—
—
—
1.2
—
100
—
2.8
ns
μC
Volts
*T C , T f measured point is just under the chips.
**Pulse width and repetition rate should be such that device junction temperature (T j ) does not exceed T j(max) rating.
***Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
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PDF描述 |
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