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参数资料
| 型号： | CM75TL-24NF |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 6PAC 1200V 75A NF SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11.5nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM75TL-24NF
Six IGBTMOD? NF-Series Module
75 Amperes/1200 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case*
Thermal Resistance, Junction to Case*
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Symbol
R th(j-c) Q
R th(j-c) D
R th(c-f)
R G
Test Conditions
Per IGBT 1/6 Module
Per FWDi 1/6 Module
Per 1/6 Module, Thermal Grease Applied
Min.
—
—
—
4.2
Typ.
—
—
—
—
Max.
0.24
0.36
—
63
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Ω
*T C , T f measured point is just under the chips.
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
150
V GE = 20V
15
13
T j = 25°C
12
4
3
V GE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
10
8
T j = 25°C
100
50
11
10
2
1
6
4
2
I C = 150A
I C = 75A
I C = 30A
9
0
0
2
4
6
8
10
0
0
50
100
150
0
6
8
10
12
14
16
18
20
CAPACITANCE VS. VCE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10 3
T j = 25°C
T j = 125°C
10 2
10 1
V GE = 0V
C ies
10 3
10 2
V CC = 600V
V GE = ±15V
R G = 4.2 ?
T j = 125°C
Inductive Load
t d(off)
t f
t d(on)
10 2
10 0
10 -1
C oes
C res
10 1
t r
10 1
0
1
2
3
4
5
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 0
10 0
10 1
10 2
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
10/10 Rev. 1
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CM75TU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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