型号: | CMBT8050 |
厂商: | Continental Device India Limited |
英文描述: | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
中文描述: | NPN硅外延平面晶体管 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 175K |
代理商: | CMBT8050 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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CMBT8050C | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8050D | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8050E | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8550 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8550C | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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CMBT8050C | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8050D | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8050E | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8098 | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
CMBT8099 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Si Planar Trans 80V, 10uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |