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参数资料
| 型号： | CMBTA13-T |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | CMBTA13-T |
UNIT
Value
Symbol
IC
Ptot
mA
Thermal Resistance
RthA
K/mW
from junction to Ambient
500
max 300
Collector current
Total power dissipation up to
Tamb = 25
oC
Junction Temperature
max 250
mW
Tj
max 150
oC
Storge Temperature
Tstg
-65 to +150
oC
V
Collector-base voltage (open collector)
VEBO
max 10
V
VCES
max 30
V
VBE = 0
oC
D.C. current gain
hFE
min 5000
IC = 10mA; VCE = 5V
Junction Temperature
Tj
max 150
MHZ
IC = 10mA; VCE = 5V
Symbol
Value
UNIT
VCES
max 30
V
VBE = 0
mW
Tamb = 25
oC
Collector current (d.c.)
IC
max 300
mA
Collector-emitter voltage (open base)
Total power dissipation up to
Ptot
max 250
Collector-emmitter voltage (open base)
Collector-base voltage (open emitter)
VCBO
max 30
VBE = 0
Transition frequency at f = 100MHZ
fT
min 125
NPN Small-Signal Darlington Transistors
CMBTA13
Ratings (at TA = 25
oC unless otherwise specified)
Limmiting values
Unit: inch (mm)
Pin configuration:
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
www.rectron.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMBTA13T/-W | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 0.3A 30V Darling RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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