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参数资料
| 型号： | CNY65 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP |
| 中文描述： | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | CNY65 |
Document Number: 83540
For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com
www.vishay.com
Rev. 2.1, 24-Feb-11
3
CNY64, CNY65, CNY66
Optocoupler, Phototransistor Output,
Very High Isolation Voltage
Vishay Semiconductors
Note
According to DIN EN 60747-5-2 (see fig. 2). This optocoupler is suitable for safe electrical isolation only within the safety ratings. Compliance
with the safety ratings shall be ensured by means of suitable protective circuits.
Fig. 1 - Safety Derating Diagram
Fig. 2 - Test Pulse Diagram for Sample Test According to
DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884); IEC60747-5-5
CURRENT TRANSFER RATIO (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
IC/IF
VCE = 5 V, IF = 10 mA
CNY64,
CNY65,
CNY66
CTR
50
300
%
CNY64A
CTR
63
125
%
CNY65A
CTR
63
125
%
CNY64B
CTR
100
200
%
CNY65B
CTR
100
200
%
CNY66B
CTR
100
200
%
SAFETY AND INSULATION RATED PARAMETERS
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Partial discharge test voltage -
routine test
100 %, ttest = 1 s
Vpd
2.8
kV
Partial discharge test voltage -
lot test (sample test)
tTr = 60 s, ttest = 10 s,
(see fig. 2)
Vpd
2.2
kV
Insulation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
1012
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
1011
VIO = 500 V, Tamb = 150 °C
(construction test only)
RIO
109
Forward current
ISI
120
mA
Power dissipation
PSO
250
mW
Rated impulse voltage
VIOTM
12
kV
Safety temperature
TSI
150
°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TSI - Safety Temperature(°C)
P
SO (mW)
I
SI(mA)
t
13930
t1, t2 = 1 to 10 s
t3, t4 = 1 s
ttest = 10 s
tstres = 12 s
VIOTM
VPd
VIOWM
VIORM
0
t1
ttest
tTr = 60 s
tstres
t3
t4
t2
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| CNY65(B)-V | 功能描述:Optoisolator Transistor Output 8200Vrms 1 Channel 4-DIP 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 通道数:1 电压 - 隔离:8200Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:6μs，7μs 上升/下降时间（典型值）:3μs，5μs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 电流 - DC 正向（If）:75mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:4-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:4-DIP 标准包装:45 |
| CNY65 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Optocoupler |
| CNY65A | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY65A | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Optocoupler |
| CNY65ABST | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 PHOTOTRANSISTOR OUT CTR 80-240% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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