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参数资料
| 型号： | COP8CBR9LVA8 |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 13/111页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU EEPROM 8BIT 32K 68PLCC |
| 标准包装： | 18 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心处理器： | COP8 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 59 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *COP8CBR9LVA8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页当前第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页
SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
3
Electrical Specifications
3.1
Absolute Maximum Ratings
(1) (2)
Supply Voltage (VCC)
7V
Voltage at Any Pin
0.3V to VCC +0.3V
Total Current into VCC Pin (Source)
200 mA
Total Current out of GND Pin (Sink)
200 mA
Storage Temperature Range
65°C to +140°C
ESD Protection Level
2 kV (Human Body Model)
(1)
Absolute maximum ratings indicate limits beyond which damage to the device may occur. DC and AC electrical specifications are not
ensured when operating the device at absolute maximum ratings.
(2)
If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the TI Sales Office/ Distributors for availability and specifications.
3.2
Electrical Characteristics DC Electrical Characteristics (
40°C ≤ T
A ≤ +85°C)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Operating Voltage
2.7
5.5
V
Power Supply Rise Time
10
50 x 106
ns
Power Supply Ripple(1)
Peak-to-Peak
0.1 VCC
V
Supply Current(2)
High Speed Mode
CKI = 10 MHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
13.2
mA
CKI = 3.33 MHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
6
mA
Dual Clock Mode
CKI = 10 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
13.2
mA
CKI = 3.33 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
6
mA
Low Speed Mode
Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V
60
103
μA
HALT Current with BOR Disabled(3)
High Speed Mode
VCC = 5.5V, CKI = 0 MHz
<2
10
μA
Dual Clock Mode
VCC = 5.5V, CKI = 0 MHz, Low
<5
17
μA
Speed OSC = 32 kHz
Low Speed Mode
VCC = 5.5V, CKI = 0 MHz, Low
<5
17
μA
Speed OSC = 32 kHz
Idle Current(2)
High Speed Mode
CKI = 10 MHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
2.5
mA
CKI = 3.33 MHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
1.2
mA
Dual Clock Mode
CKI = 10 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
2.5
mA
CKI = 3.33 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
1.2
mA
Low Speed Mode
Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V
15
30
μA
(1)
Maximum rate of voltage change must be < 0.5 V/ms.
(2)
Supply and IDLE currents are measured with CKI driven with a square wave Oscillator, CKO driven 180° out of phase with CKI, inputs
connected to VCC and outputs driven low but not connected to a load.
(3)
The HALT mode will stop CKI from oscillating. Measurement of IDD HALT is done with device neither sourcing nor sinking current; with
L. A. B, C, E, F, G0, and G2–G5 programmed as low outputs and not driving a load; all D outputs programmed low and not driving a
load; all inputs tied to VCC; A/D converter and clock monitor and BOR disabled. Parameter refers to HALT mode entered via setting bit 7
of the G Port data register.
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
Electrical Specifications
11
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PDF描述 |
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| 1588128-3 | INSERT ASSY MINI EB SM 4 CHAN |
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参数描述 |
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| COP8CCE9HLQ7 | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:8-Bit CMOS Flash Microcontroller with 8k Memory, Virtual EEPROM, 10-Bit A/D and Brownout Reset |
| COP8CCE9HLQ9 | 功能描述:IC MCU FLASH 8BIT 8K A/D 44LLP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:COP8™ 8C 标准包装:250 系列:56F8xxx 核心处理器:56800E 芯体尺寸:16-位 速度:60MHz 连通性:CAN，SCI，SPI 外围设备:POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:21 程序存储器容量:40KB（20K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 6x12b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:48-LQFP 包装:托盘 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| COP8CCE9HVA7 | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCE9HVA7/NOPB | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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