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参数资料
| 型号： | CP2102-GMR |
| 厂商： | SILICON LABORATORIES |
| 元件分类： | 总线控制器 |
| 中文描述： | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, QCC28 |
| 封装： | 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-28 |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | CP2102-GMR |
CP2102
Rev. 1.1
5
2. Absolute Maximum Ratings
3. Global DC Electrical Characteristics
Table 1. Absolute Maximum Ratings
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Ambient temperature under bias
–55
—
125
°C
Storage Temperature
–65
—
150
°C
Voltage on any I/O Pin or RST with respect to GND
–0.3
—
5.8
V
Voltage on VDD with respect to GND
–0.3
—
4.2
V
Maximum Total current through VDD and GND
—
500
mA
Maximum output current sunk by RST or any I/O pin
—
100
mA
Note: Stresses above those listed may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only, and functional
operation of the devices at or exceeding the conditions in the operation listings of this specification is not implied.
Exposure to maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Table 2. Global DC Electrical Characteristics
VDD = 2.7 to 3.6 V, –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
Supply Current
VDD = 3.3 V
—
26
—
mA
Supply Current in Suspend
VDD = 3.3 V
—
330
—
A
Specified Operating Temperature Range
–40
—
+85
°C
Table 3. UART and Suspend I/O DC Electrical Characteristics
VDD = 2.7 to 3.6 V, –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameters
Conditions
Min
Typ
Max
UNITS
Output High Voltage
IOH =–3mA
IOH =–10 A
IOH =–10 mA
VDD – 0.7
VDD – 0.1
—
VDD – 0.8
—
V
Output Low Voltage
IOL =8.5 mA
IOL =10A
IOL =25mA
—
1.0
0.6
0.1
—
V
Input High Voltage
2.0
—
V
Input Low Voltage
—
0.8
V
Input Leakage Current
—
25
50
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CP2103-GMR | |
| CP2104-F03-GM | |
| CP2105-F01-GM | |
| CP2110-F01-GM | |
| CPC1009NTR | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CP210-2N4416-CT | 功能描述:JFET N-Channel 30V 5mA @ 20V Surface Mount Die 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 功率 - 最大值:- 标准包装:1 |
| CP210-2N4416-CT20 | 功能描述:JFET N-Channel 30V 5mA @ 20V Surface Mount Die 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 功率 - 最大值:- 标准包装:1 |
| CP2102N-A01-GQFN20 | 功能描述:USB TO UART BRIDGE - QFN20 制造商:silicon labs 系列:* 零件状态:有效 标准包装:100 |
| CP2102N-A01-GQFN20R | 功能描述:USB Bridge, USB to UART USB 2.0 UART Interface 制造商:silicon labs 标准包装:1,500 |
| CP2102N-A01-GQFN24 | 功能描述:USB TO UART BRIDGE - QFN24 制造商:silicon labs 系列:* 零件状态:有效 标准包装:100 |
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