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参数资料
| 型号： | CPC5603CTR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 415V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 50mA，350mV |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 0V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2629 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | CLA299DKR |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Absolute Maximum Ratings @ 25°C
CPC5603
Parameter
Drain-to-Source Voltage (V DS )
Gate-to-Source Voltage (V GS )
Total Package Dissipation
Operational Temperature
Storage Temperature
Ratings
415
±20
2.5
-40 to +85
-40 to +125
Units
V
V
W
o C
o C
Absolute Maximum Ratings are stress ratings. Stresses in
excess of these ratings can cause permanent damage to the
device. Functional operation of the device at conditions beyond
those indicated in the operational sections of this data sheet is
not implied.
Electrical Characteristics @25 o C (Unless Otherwise Specified)
Parameter
Gate-to-Source Off Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Drain Current
On Resistance
Gate Leakage Current
Gate Capacitance
Symbol
V GS(off)
I DS(off)
I D
R DS(on)
I GSS
C ISS
Conditions
I D = 2μA, V DS =10V, V DS =100V
V GS = -5V, V DS =250V
V GS = -5V, V DS =415V
V GS = -2.7V, V DS =5V, V DS =50V
V GS = -0.57V, V DS =5V
V GS = -0.35V, I DS =50mA
V GS =10V, V GS =-10V
V DS = V GS =0V
Min
-3.6
-
-
-
130
-
-
-
Typ
-
-
-
-
8
-
-
Max
-2.0
20
1
5
-
14
0.1
300
Units
V
nA
? A
mA
mA
?
? A
pF
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance
Symbol
R ? JC
Conditions
-
Min
-
Typ
-
Max
14
Units
o C/W
2
www.ixysic.com
R07
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