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参数资料
| 型号： | CPC7508BTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | 通信及网络 |
| 中文描述： | SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO16 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SOIC-16 |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 393K |
| 代理商： | CPC7508BTR |
CPC7508
6
www.clare.com
R04
1.6.3 TEST_IN Switches, SW5 and SW6
Parameter
Test Conditions
Symbol
Minimum
Typical
Maximum
Unit
Off-State
Leakage Current
VSW5 (differential) = TTEST_IN to TBAT
VSW6 (differential) = RTEST_IN to RBAT
Applied voltage maximum ±225 V to ground
All-Off state.
+25
° C, V
SW (differential) = ±320 V
ISW
-
0.1
1
μA
+85
° C, V
SW (differential) = ±330 V
0.2
-40
° C, V
SW (differential) = ±310 V
0.1
On Resistance
ISW(on) = ±10 mA, ±40 mA
+25
° C
RON
38
-
Ω
+85
° C46
70
-40
° C20
28
-
On Resistance
Matching
Per SW5 & SW6 On Resistance test
conditions.
ΔR
ON
-
0.35
1.4
Ω
DC current limit
VSW (on) = ±10 V, +25° C
ISW
-
125
-
mA
VSW (on) = ±10 V, +85° C
80
95
VSW (on) = ±10 V, -40° C
-
165
250
Dynamic current limit
(t
≤ 0.5 μs)
Break switches on, all other switches off.
Apply ±1 kV 10x1000
μs pulse with
appropriate protection in place.
ISW
-1-
A
Logic input to switch
output isolation
+25
° C, Logic inputs = gnd,
VSW5 (TTEST_IN) = ±225 V
VSW6 (RTEST_IN) = ±225 V
ISW
-0.1
1
μA
+85
° C, Logic inputs = gnd,
VSW5 (TTEST_IN) = ±225 V
VSW6 (RTEST_IN) = ±225 V
-0.3
-40
° C, Logic inputs = gnd,
VSW5 (TTEST_IN) = ±225 V
VSW6 (RTEST_IN) = ±225 V
-0.1
dv/dt sensitivity
-
500
-
V/
μs
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