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参数资料
| 型号： | CPH3351-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 262pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3351
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= -- 60V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--60
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS= -- 10V, ID= -- 1mA
VDS= -- 10V, ID= -- 1A
ID= -- 1A, VGS= -- 10V
--1.2
2.7
190
--2.6
250
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= -- 0.5A, VGS= -- 4.5V
ID= -- 0.5A, VGS= -- 4V
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
See speci ? ed Test Circuit.
See speci ? ed Test Circuit.
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--1.8A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--1.8A
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--1.8A
IS=--1.8A, VGS=0V
235
250
262
29
19
5.1
5.4
34
19
6.0
0.83
1.3
--0.82
330
350
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --30V
ID= --1A
RL=30 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
CPH3351
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
CPH3351-TL-H
Package
CPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1880-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| CPH3355-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:156 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
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