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参数资料
| 型号： | CPH3351-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 262pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3351
ms
DC
0m
op
e a r
n(
Ta
5 °
0 μ
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
VDS= --30V
ID= --1.8A
VGS -- Qg
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
IDP= --7.2A (PW≤10μs)
ID= --1.8A
Operation in this
ASO
t o i
10
10
s
area is limited by RDS(on). =2
C)
1m
s
10
s
--2
--1
5
3
2
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
0
0
1
2
3
4
5
6
--0.01
--0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3
5 7 --100
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC IT16100
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16101
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16102
No. A1880-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3356-TL-H | MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 |
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| CPH3456-TL-H | MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3351-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:262pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
| CPH3355 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3355_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3355-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPH3355-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:156 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
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