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参数资料
| 型号： | CPH3356-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 137 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3356
--2.0
ID -- VDS
--3.0
V DS= --10V
ID -- VGS
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--2.5
--2.0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
VGS= --1.5V
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
= --0
--1.8
VGS
--0.5A
--2.5V
VGS
I = --1
V GS=
700
600
500
400
300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID= --0.1A
--0.5A
--1.0A
IT14877
Ta=25°C
300
250
200
150
100
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
.1A
V, I D
=
, I D=
=
.0A
--4.5V, D
IT14878
200
100
50
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
7
5
| y fs | -- ID
IT14879
VDS= --10V
5
3
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14880
VGS=0V
2
3
° C
° C
2
1.0
Ta
=
--
25
75
--1.0
7
5
3
7
2
5
25
° C
--0.1
7
3
2
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT14881
VDD= --10V
VGS= --4.5V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14882
f=1MHz
3
3
Ciss
2
tf
2
100
10
7
5
3
tr
td(on)
7
5
3
2
Coss
Crss
2
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT14883
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14884
No. A1124-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| CPH3360-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:303 毫欧 @ 800mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
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