参数资料
型号: CPH3356-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 137 毫欧 @ 1A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-CPH
包装: 带卷 (TR)
CPH3356
Embossed Taping Speci ? cation
CPH3356-TL-H
No. A1124-5/7
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PDF描述
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参数描述
CPH3356-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):137 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
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CPH3360-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):303 毫欧 @ 800mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1