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参数资料
| 型号： | CPH3360-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 303 毫欧 @ 800mA，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 82pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3360
--1.6
--1.4
ID -- VDS
Ta=25°C
--2.0
--1.8
VDS= --10V
ID -- VGS
--1.6
--1.2
--1.4
--1.0
--3.5
V
--1.2
--0.8
--0.6
--1.0
--0.8
--0.4
--0.2
--3.0V
VGS= --2.5V
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
1000
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16626
Ta=25°C
1000
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16627
900
900
--0.4
, I D=
4.0V
= --
.4A
= --0
--4.5
VGS
V, I D=
= --10.0
800
700
600
500
400
300
200
100
ID= --0.4A
--0.8A
800
700
600
500
400
300
200
100
VGS
=
V GS
V, I D
A
--0.8A
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT16628
VDS= --10V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16629
VGS=0V
5
3
2
5 °
° C
75 °
3
2
1.0
7
5
3
2
Ta
=
--2
25
C
C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16630
VDD= --15V
VGS= --10V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16631
f=1MHz
3
2
td(off)
3
2
10
100
Ciss
7
5
3
2
td(on)
tr
tf
7
5
3
2
Coss
Crss
1.0
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT16632
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16633
No. A0114-3/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3360-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:303 毫欧 @ 800mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
| CPH3362-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 欧姆 @ 700mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:142pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH3403 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| CPH3405 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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