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参数资料
| 型号： | CY2SSTV857ZXC-27T |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK DDR266/333BUF1:10 48TSSOP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 类型： | * |
| PLL： | * |
| 主要目的： | * |
| 输入： | * |
| 输出： | * |
| 电路数： | * |
| 比率 - 输入:输出： | * |
| 差分 - 输入:输出： | * |
| 频率 - 最大： | * |
| 电源电压： | * |
| 工作温度： | * |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
CY2SSTV857
.......................... Document #: 38-07464 Rev. *F Page 4 of 8
t
C(n+1)
Yx
t
C(n)
Figure 3. Cycle-to-cycle Jitter
PLL
FBIN
FBIN#
120
Ohm
120
Ohm
CLK
CLK#
DDR -
SDRAM
120
Ohm
VTR
VCP
0.3"
= 2.5"
= 0.6" (Split to Terminator)
DDR _SDRAM
represents a capacitive load
DDR -
SDRAM
FBOUT#
FBOUT
Output load capacitance for 2 DDR-SDRAM Loads: 5 pF< CL< 8 pF
Figure 4. Clock Structure # 1
CLK
CLK#
DDR-SDRAM
PLL
FBIN
FBIN#
120 Ohm
DDR-SDRAM
Stack
DDR-SDRAM
Stack
120 Ohm
VTR
VCP
0.3"
= 2.5"
= 0.6" (Split to Terminator)
DDR-SDRAM
represents a capacitive load
FBOUT#
FBOUT
DDR-SDRAM
Output load capacitancce for 4 DDR-SDRAM Loads: 10 pF < CL < 16 pF
Figure 5. Clock Structure # 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-23K-MX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W |
| VI-214-MX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W |
| ISL8483IB-T | TRANSCEIVER RS-485/422 5V 8-SOIC |
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| VI-213-MX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY2SSTV857ZXC-32 | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| CY2SSTV857ZXC-32T | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| CY2SSTV857ZXI-27 | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| CY2SSTV857ZXI-27T | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| CY2SSTV857ZXI-32 | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
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