参数资料
型号: CY2SSTV857ZXC-32T
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: IC CLK DDR266/333BUF1:10 48TSSOP
标准包装: 2,000
系列: *
类型: *
PLL: *
主要目的: *
输入: *
输出: *
电路数: *
比率 - 输入:输出: *
差分 - 输入:输出: *
频率 - 最大: *
电源电压: *
工作温度: *
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
CY2SSTV857
.......................... Document #: 38-07557 Rev. *E Page 5 of 8
CLK
CLK#
DDR-SDRAM
PLL
FBIN
FBIN#
120 Ohm
DDR-SDRAM
Stack
DDR-SDRAM
Stack
120 Ohm
VTR
VCP
0.3"
= 2.5"
= 0.6" (Split to Terminator)
DDR-SDRAM
represents a capacitive load
FBOUT#
FBOUT
DDR-SDRAM
Output load capacitancce for 4 DDR-SDRAM Loads: 10 pF < CL < 16 pF
Figure 5. Clock Structure # 1
60 O h m
Re c e iv e r
VC P
VT R
R
T = 12 0 O h m
OU T
OU T #
V DDQ
60 O h m
14 pF
V DDQ/ 2
V DDQ / 2
VD D Q
Figure 6. Differential Signal Using Direct Termination Resistor
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PDF描述
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参数描述
CY2SSTV857ZXI-27 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟(最大值): 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel
CY2SSTV857ZXI-27T 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟(最大值): 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel
CY2SSTV857ZXI-32 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟(最大值): 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel
CY2SSTV857ZXI-32T 功能描述:时钟缓冲器 2.5V 60-200MHz 1:10 Diff DDR266/333 B/D RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟(最大值): 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel
CY2V012FLXCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: