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参数资料
| 型号： | CY7C09179V-6AXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM |
| 中文描述： | 32K X 9 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件页数： | 15/28页 |
| 文件大小： | 657K |
| 代理商： | CY7C09179V-6AXC |
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CY7C09089V/99V
CY7C09179V/99V
Document #: 38-06043 Rev. *F
Page 22 of 28
Figure 17. Counter Reset (Pipelined Outputs)[54, 55, 56, 57]
Switching Waveforms (continued)
tCH2
tCL2
tCYC2
CLK
ADDRESS
INTERNAL
CNTEN
ADS
DATAIN
ADDRESS
CNTRST
R/W
DATAOUT
Q0
Q1
Qn
D0
AX
01
An
An+1
tSAD
tHAD
tSCN
tHCN
tSRST
tHRST
tSD
tHD
tSW tHW
An
An+1
tSA
tHA
COUNTER
RESET
WRITE
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 1
READ
ADDRESS n
Notes
54. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK. Numbers are for reference only.
55. Output state (HIGH, LOW, or high-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
56. CE0 = VIL; CE1 = VIH.
57. No dead cycle exists during counter reset. A READ or WRITE cycle may be coincidental with the counter reset.
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PDF描述 |
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| CY7C09189V-6AXC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6.5NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
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