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参数资料
| 型号： | CY7C09179V-6AXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM |
| 中文描述： | 32K X 9 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 657K |
| 代理商： | CY7C09179V-6AXC |
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CY7C09089V/99V
CY7C09179V/99V
Document #: 38-06043 Rev. *F
Page 12 of 28
Port to Port Delays
tCWDD
Write Port Clock HIGH to Read Data Delay
–
30
–
35
–
40
–
40
ns
tCCS
Clock to Clock Set-Up Time
–
9
–
10
–
15
–
15
ns
Switching Waveforms
Switching Characteristics (continued)
Over the Operating Range
Parameter
Description
CY7C09079V/89V/99V
CY7C09179V/89V/99V
Unit
-6[16]
-7[16]
-9
-12
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
tCH1
tCL1
tCYC1
tSC
tHC
tDC
tOHZ
tOE
tSC
tHC
tSW
tHW
tSA
tHA
tCD1
tCKHZ
tDC
tOLZ
tCKLZ
An
An+1
An+2
An+3
Qn
Qn+1
Qn+2
CLK
CE0
CE1
R/W
ADDRESS
DATAOUT
OE
Notes
19. OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
20. ADS = VIL, CNTEN and CNTRST = VIH.
21. The output is disabled (high-impedance state) by CE0 = VIH or CE1 = VIL following the next rising edge of the clock.
22. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK. Numbers are for reference only.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CY7C09189V-6AXC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6.5NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
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