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参数资料
| 型号： | CY7C09199V-9AXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件页数： | 10/28页 |
| 文件大小： | 657K |
| 代理商： | CY7C09199V-9AXC |
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CY7C09089V/99V
CY7C09179V/99V
Document #: 38-06043 Rev. *F
Page 18 of 28
Switching Waveforms (continued)
tCH1
tCL1
tCYC1
tSC
tHC
tSW
tHW
tSA
tHA
tSW
tHW
tSD
tHD
An
An+1
An+2
An+3
An+4
Dn+2
Qn
Qn+1
Qn+3
tCD1
tDC
tCKHZ
tCD1
tCKLZ
tDC
READ
NO
OPERATION
WRITE
READ
CLK
CE0
CE1
ADDRESS
R/W
DATAIN
DATAOUT
Notes
41. ADS = VIL, CNTEN and CNTRST = VIH.
42. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK. Numbers are for reference only.
43. Output state (HIGH, LOW, or high-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
44. CE0 and ADS = VIL; CE1, CNTEN, and CNTRST = VIH.
45. During “No Operation”, data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to ensure data integrity.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C09159AV-12AXC | 3.3V 8K/16K x 9 Synchronous Dual Port Static RAM |
| CY7C1009B-20VXC | 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32 |
| CY7C10191B | Memory |
| CY7C1002-20DMB | x4 SRAM |
| CY7C1002-20PC | x4 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C09199V-9AXI | 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 9NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| CY7C09269-12AC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CY7C092694V-12AXI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C09269A-12AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 5V 256K-Bit 16K x 16 25ns/12ns 100-Pin TQFP |
| CY7C09269A-9AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 5V 256K-Bit 16K x 16 20ns/9ns 100-Pin TQFP |
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