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参数资料
| 型号： | CY7C106L-15VC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 4 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO28 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | CY7C106L-15VC |
CY7C106
CY7C1006
Document #: 38-05033 Rev. **
Page 5 of 9
Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)
Parameter
Description
Conditions[10]
Min.
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
2.0
V
ICCDR
Data Retention Current
VCC = VDR = 2.0V,
CE > VCC – 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V or
VIN < 0.3V
50
A
tCDR
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
tR
Operation Recovery Time
tRC
ns
Data Retention Waveform
4.5V
CE
VCC
tCDR
VDR > 2V
DATA RETENTION MODE
tR
C106–5
Switching Waveforms
Read Cycle No.1[11, 12]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[12, 13]
Notes:
10. No input may exceed VCC +0.5V.
11. Device is continuously selected, OE and CE = VIL.
12. WE is HIGH for read cycle.
13. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
1
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
ADDRESS
DATA OUT
C106–6
C106–7
50%
DATA VALID
tRC
tACE
tDOE
tLZOE
tLZCE
tPU
HIGH IMPEDANCE
IMPEDANCE
ICC
ISB
tHZOE
tHZCE
tPD
HIGH
ADDRESS
CE
DATA OUT
VCC
SUPPLY
CURRENT
OE
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