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参数资料
| 型号： | CY7C1157V18-375BZXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 12/27页 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | CY7C1157V18-375BZXC |
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CY7C1146V18, CY7C1157V18
CY7C1148V18, CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *D
Page 2 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1146V18)
Logic Block Diagram (CY7C1157V18)
CLK
A(19:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
Read
Add.
D
e
code
Read Data Reg.
R/W
DQ[7:0]
Output
Logic
Reg.
8
16
8
NWS[1:0]
VREF
W
rite
Add.
D
e
code
8
LD
Control
20
1M
x
8
Array
1M
x
8
Arr
a
y
Write
Reg
Write
Reg
CQ
R/W
DOFF
QVLD
8
CLK
A(19:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
Read
Add.
De
code
Read Data Reg.
R/W
DQ[8:0]
Output
Logic
Reg.
9
18
9
BWS[0]
VREF
W
rite
Add.
De
code
9
LD
Control
20
1M
x
9
Array
1M
x
9
Arr
a
y
Write
Reg
Write
Reg
CQ
R/W
DOFF
QVLD
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1157V18-375BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CY7C1163KV18-450BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1163KV18-550BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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