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参数资料
| 型号： | CY7C1481V25-100BZC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件页数： | 25/30页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | CY7C1481V25-100BZC |
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CY7C1481V25
CY7C1483V25
CY7C1487V25
Document #: 38-05281 Rev. *H
Page 25 of 30
ZZ Mode Timing
[26, 27]
Timing Diagrams
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
Notes
26.Device must be deselected when entering ZZ mode. See
“Truth Table” on page 10
for all possible signal conditions to deselect the device.
27.DQs are in high-Z when exiting ZZ sleep mode.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1481V25-100BZI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-100BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-100BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-133AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-133AXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1481V33-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1482BV33-200BZI | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1482BV33-250BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36, 3.3V SYNC PL SRAM - Bulk |
| CY7C148-35PC | 功能描述:1KX4 18-PIN POWER-DOWN SRAM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| CY7C148-45DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Static RAM, 1Kx4, 18 Pin, Ceramic, DIP |
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