DFE252012P-3R3M=P2全国供应商【买卖IC网】DFE252012P-3R3M=P2资料|PDF Datasheet|价格 Murata

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型号
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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

DFE252012P-3R3M=P2
现货
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
250
MURATA
SMD
22+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

DFE252012P-3R3M=P2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
MURATA
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

DFE252012P-3R3M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE252012P-3R3M=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1894
Murata Electronics North
1008（2520 公制）
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

DFE252012P-3R3M=P2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
3000
Murata
2143
-

DFE252012P-3R3M=P2
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
TOKO
2520
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

DFE252012P-3R3M=P2
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
MURATA
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

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DFE252012P-3R3M=P2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

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功能描述
3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 140 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012P
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁粉
电感
3.3μH
容差
±20%
额定电流
2.3A
电流 - 饱和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
140 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.039"（1.00mm）
标准包装
1

DFE252012P-3R3M=P2 技术参数

DFE252012P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 3A 84 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:84 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 60 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:60 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 42 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:4.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:42 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012F-R82M=P2 功能描述:820nH Shielded Inductor 3.6A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:820nH 容差:±20% 额定电流:3.6A 电流 - 饱和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:35 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Inductor 3.9A 31 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:680nH 容差:±20% 额定电流:3.9A 电流 - 饱和值:6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:31 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3

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