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参数资料
| 型号： | DA221TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 335K |
| 描述： | DIODE SWITCH 20V 100MA SOT-416 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-416 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 15V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DA221TLDKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DA221
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Ultra small mold type. (EMD3)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak) 20VRM
V
Reverse voltage (DC) 20VR
V
Forward current (Single) 200IFM
mA
Average rectified forward current (Single) 100Io mA
Isurge
mA
Power dissipation 150Pd mW
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?55 to ?150
Rarted in slash put frequency 100f MHz
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 1.0 V IF=10mA
IR
- - 0.1
μAVR=15V
Ct - - 4.0 pF
VR=6V , f=1MHz
Surge current （t=1us）
300
Storage temperature
Capacitance between terminals
Parameter
Conditions
Forward voltage
Reverse current
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1φ1.5?0.1
0?0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.1
1.8±0.2
0.3±0.1
1.8±0.1
5.5±0.2
0.9±0.2
0～0.1
ROHM : EMD3
JEDEC : SOT-416JEITA : SC-75A
dot (year week factory)
(3)
1.6±0.2
1.6±0.2
1.0±0.1
0.8±0.1
0.5
0.5
(2)
(1)
0.15±0.05
0.7±0.1
0.55±0.1
0.1Min
0～0.1
0.2±0.1
-0.05
0.3±0.1
0.05
(1)D2:C (2)D1:A
(3)D1:C D2:A
EMD3
1.0
0.7
0.5
0.5
0.7
0.7
0.6
0.6
1.3
1/3
2011.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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