参数资料
型号: DA227TL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 541K
描述: DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-343
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode SOT-343
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA
电压 - (Vr)(最大): 80V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-82A,SOT-343
供应商设备封装: UMD4
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DA227TLDKR
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
DA227 / DA227FH
 
0
5
10
15
20
AVE : 3.50A
0
1
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10
AVE : 1.93ns
Ta=25°C
VR=6V
IF=5mA
RL=50?
n=10pcs
0
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1 10 100
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0.1
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1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
0
1
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3
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6
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9
10
C=100pF
R=1.5k?
C=200pF
R=0?
AVE : 0.97kV
AVE : 2.54kV
IFSM
DISPERSION MAP
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (
°
C/W)
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
1cyc.
8.3ms
8.3ms
IFSM
trr DISPERSION MAP
RESERVE RECOVERY TIME : t
rr(ns)
8.3ms
IFSM
1cyc.
IFSM
time
1ms300?s
IM=1mA IF=10mA
time
Mounted on epoxy board
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
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2012.12 - Rev.B
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PDF描述
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