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参数资料
| 型号： | DAN217T146 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 348K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-346 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-346 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DAN217T146DKR |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
DAN217
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:1.93ns
Ta=25℃
VR=6V
IF=5mA
RL=50Ω
n=10pcs
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
0.1 1 10 100TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
ELECTROSTATIC
DDISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0.1
1
10
100
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 100
0
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 1020304050607080
Ta=125℃
Ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=150℃
0.1
1
10
0 5 10 15 20
f=1MHz
900
910
920
930
940
950
AVE:921.7mV
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Ta=25℃
VR=80V
n=10pcs
AVE:9.655nA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:1.17pF
Ta=25℃
VR=6V
f=1MHz
n=10pcs
0
5
10
15
20
AVE:3.50A
0
1
2
3
4
5
1 10 100
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:0.97kV
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE:2.54kV
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
t
Ifsm
1ms1mstime
IM=100mA IF=10AIM=1mA IF=10mA
300us300us
time
Mounted on epoxy board?????????基板実装時
1
10
100
1000
2/2
2011.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DAN217WTL | DIODE SWITCH 80V 100MA 3EMD |
| DAN222MT2L | DIODE SWITCH 100MA 80V VMD3 |
| DAN222T1G | DIODE SWITCH DUAL CC 80V SC75-3 |
| DAN222TL | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-416 |
| DAN235ETL | DIODE SWITCH BAND 35V 3EMD TR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DAN217T246 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DAN217-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:200MW 80VOLT PLASTIC-ENCAPSULATE DIODE 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:DAN217 Series 80 V 100 mA 200 mW SMT Plastic-Encapsulate Diode - SOT-23-3 |
| DAN217U | 制造商:ROHM 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UMD3 制造商:ROHM 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode UMD3 - free partial T/R at 500. |
| DAN217U_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching Diode |
| DAN217UGH | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:Dual series switching diode Lead free product Halogen-free type |
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