- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录75 > DAN217WTL (Rohm Semiconductor)DIODE SWITCH 80V 100MA 3EMD Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DAN217WTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 363K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA 3EMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DAN217WTLDKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DAN217W
?Applications
?Dimensions(Unit : mm)
?Land size figure(Unit : mm)
Rectifying small power
?Features
Small mold type.(EMD3)
?Structure
?Construction
Silicon epitaxial
?Taping dimensions
(Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25?C)
Symbol UnitLimits
Reverse voltage (repetitive) 80VRM
V
Reverse voltage (DC) 80VR
V
Forward current (Single) 300IFM
mA
Average rectified forward current 100Io
mA
Surge current (t=1us) 4Isurge
A
Power dissipation 150Pd
mW
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
?Electrical characteristics
(Ta=25
?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Storage temperature
?55 to ?150
Conditions
Parameter
Parameter
EMD3
1.0
0.7
0.5
0.5
0.7
0.7
0.6
0.6
1.3
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1φ1.5?0.1
0?0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.1
1.8±0.2
0.3±0.1
1.8±0.1
5.5±0.2
0.9±0.2
0～0.1
1/2
2011.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DAN222MT2L | DIODE SWITCH 100MA 80V VMD3 |
| DAN222T1G | DIODE SWITCH DUAL CC 80V SC75-3 |
| DAN222TL | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-416 |
| DAN235ETL | DIODE SWITCH BAND 35V 3EMD TR |
| DAN235UT106 | DIODE SWITCH BAND 35V SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DAN217WTL(G) | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DAN222 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DAN222/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Common Cathode Dual Switching Diode |
| DAN222_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Common Cathode Silicon Dual Switching Diode |
| DAN222_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Band Switching Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。