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参数资料
| 型号： | DAN217WTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 363K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA 3EMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DAN217WTLDKR |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
DAN217W
?Electrical characteristics curves
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
Rth(j-a)
Rth(j-c)
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANODE:Rth(°C/W)
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
5
10
110100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
8.3ms
Ifsm
1cyc
870
880
890
900
910
920
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.1
1
10
0 5 10 15 20
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
0 20406080100120
Ta=150?C
0.01
0.1
1
10
100
1000
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
Ta=150?C
0
5
10
0.1 1 10 100
t
Ifsm
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
f=1MH
AVE:888.3
Ta=25?C
VF=100mA
n=30pcs
Ta=25?C
VR=80V
n=30pcs
AVE:20.90
AVE:0.595
Ta=25?
C
f=1MHz
VR=0.5V
AVE:3.9
AVE:1.489
Ta=25?C
VR=6V
IF=10mA
RL=100?
n=10pcs
C=200pF
R=0?
C=100pF
R=1.5k?
AVE:6.48
AVE:1.60
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(mA)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
Ta=-25?
Ta=125?
Ta=75?
Ta=25?
Ta=-25?
Ta=125?
Ta=25?
Ta=75?
1ms
IM=1m IF=10m
300us
time
Mounted on epoxy board
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2011.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DAN222MT2L | DIODE SWITCH 100MA 80V VMD3 |
| DAN222T1G | DIODE SWITCH DUAL CC 80V SC75-3 |
| DAN222TL | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-416 |
| DAN235ETL | DIODE SWITCH BAND 35V 3EMD TR |
| DAN235UT106 | DIODE SWITCH BAND 35V SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DAN217WTL(G) | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DAN222 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DAN222/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Common Cathode Dual Switching Diode |
| DAN222_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Common Cathode Silicon Dual Switching Diode |
| DAN222_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Band Switching Diode |
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