参数资料
型号: DAP222TL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 1/3页
文件大小: 332K
描述: DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-416
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode SOT-416
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA
电压 - (Vr)(最大): 80V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阳极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商设备封装: EMD3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DAP222TLDKR
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DAP222
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Ultra small mold type. (EMD3)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak) 80VRM
V
Reverse voltage (DC) 80VR
V
Forward current (single) 300IFM
mA
Average rectified forward voltage (single) 100Io mA
Isurge
A
Power dissipation 150Pd mW
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 1.2 V IF=100mA
IR
- - 0.1
μAVR=70V
Ct - - 3.5 pF VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Surge current (t=1us)
4
Storage temperature
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Parameter
Conditions
Forward voltage
Reverse current
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1φ1.5?0.1
      0?0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.1
1.8±0.2
0.3±0.1
1.8±0.1
5.5±0.2
0.9±0.2
0~0.1
ROHM : EMD3
JEDEC : SOT-416
JEITA : SC-75A
dot (year week factory)
(3)
1.6±0.2
1.6±0.2
1.0±0.1
0.8±0.1
0.5
0.5
(2)
(1)
0.15±0.05
0.7±0.1
0.55±0.1
0.1Min
0~0.1
0.2±0.1
  -0.05
0.3±0.1
    0.05
EMD3
1.0
0.7
0.5
0.5
0.7
0.7
0.6
0.6
1.3
1/2
2011.06 - Rev.B
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