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参数资料
| 型号： | DB1012S-T |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 中文描述： | 1 A, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DB-S, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | DB1012S-T |
RECTRON
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( DB101S THRU DB1012S )
FIG. 4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS
REVERSE
CURRENT,
(uA)
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
TJ = 25
0
20
40
60
80
100
120
140
10
1.0
0.1
.01
FIG. 1 - MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
PEAK
FORWARD
SURGE
CURRENT,
(A)
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDED Method)
SURGE CURRENT
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
10
20
40
60
100
FIG. 2 - TYPICAL FORWARD CURRENT
AVERAGE
FORWARD
CURRENT,
(A)
AMBIENT TEMPERATURE, (
)
Single Phase Half Wave
60Hz Inductive or
Resistive Load
DERATING CURVE
1.0
.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS
FORWARD
CURRENT,
(A)
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)
Pulse Width = 300us
1% Duty Cycle
10
1.0
0.1
.01
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
TJ = 25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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