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参数资料
| 型号： | DBFS10R12YT320 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模块 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | DBFS10R12YT320 |
5
Technische Information / technical information
FS100R06KL4
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-9-24
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 100 A, V = 300 V, TY = 125°C
R []
E
0
5
10
15
20
25
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,0123
0,0018
2
0,152
0,024
3
0,1022
0,0651
4
0,0235
0,6626
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 2,2 , TY = 125°C
V [V]
I
0
100
200
300
400
500
600
700
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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PDF描述 |
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