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参数资料
| 型号： | DBFS10R12YT320 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模块 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | DBFS10R12YT320 |
6
Technische Information / technical information
FS100R06KL4
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-9-24
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 2,2 , V = 300 V, TY = 125°C
I [A]
E
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Etê
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 100 A, V = 300 V, TY = 125°C
R []
E
0
5
10
15
20
25
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Etê
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
Zúì : Diode
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,1859
0,0169
2
0,1938
0,0487
3
0,1168
0,1069
4
0,0535
0,9115
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
T [°C]
R
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100
1000
10000
100000
Rúá
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