型号: | DDC113TU |
厂商: | Diodes Inc. |
英文描述: | NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
中文描述: | npn型预偏置信号小的SOT - 363双表面贴装晶体管 |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | DDC113TU |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DDMZ0315 | Ceramic Singlelayer Feed-Through Capacitors 400VDC |
DDRSDRAM1111 | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
DDRSDRAM | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
DDTA113TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DDC113TU-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDC113TU-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDC114 | 制造商:BB 制造商全称:BB 功能描述:Quad Current Input 20-Bit ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER |
DDC114EH | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDC114EH-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |